作为一款基于蒸发砷化镓（GaAs）薄膜工艺的高灵敏度霍尔效应传感器，AS1582T凭借其卓越的低磁场检测能力、优异的温度稳定性和差分模拟输出特性，为光学防抖（OIS）电机、无刷直流电机、电流传感器及各类精密旋转检测应用提供了全新的磁测量解决方案。



高灵敏度GaAs技术，突破低磁场检测瓶颈

AS1582T采用昂赛微电子专有的蒸发GaAs薄膜工艺制造，在低磁场环境下依然能够保持高效的检测性能。其输出霍尔电压在B=50mT、IC=5mA条件下典型值为45mV（范围36mV至54mV），在VC=6V条件下典型值达58mV（范围46mV至70mV），确保信号强度足以适配晶体管电路等后端处理需求。

该器件输入电阻与输出电阻典型值均为900Ω（范围780Ω至1020Ω），阻抗匹配性优异。偏移电压典型值控制在±5mV以内，线性度误差仅±2.0%，为高精度磁场测量提供了坚实保障。



卓越温度稳定性，适应严苛工作环境

AS1582T在工作温度范围-40℃至+125℃内表现出优异的温度稳定性。其霍尔电压温度系数低至-0.07%/°C，输入电阻温度系数为0.3%/°C，在全温区范围内确保测量精度的一致性。器件采用DFN0408-4L超薄封装，尺寸仅为0.80mm×0.40mm，高度低至0.210mm，适用于空间极为受限的紧凑型设计。



差分模拟输出，简化系统集成

AS1582T提供差分模拟输出电压，可直接输出正/余弦信号，便于后端电路实现灵活的信号处理与精度扩展。典型应用电路简洁高效，支持恒流与恒压两种驱动模式。器件额定最大输入电压为10V，最大功耗150mW，存储温度范围宽达-55℃至+150℃，焊接温度（10秒）耐受260℃。


多元应用场景，赋能精密控制

AS1582T凭借其高灵敏度、高线性度和卓越温度稳定性，广泛适用于磁场测量、OIS电机（光学防抖）、无刷直流电机、电流传感器及其他小型精密电机等场景。在DVD、CD-ROM、软盘驱动器等光存储设备中，AS1582T可实现非接触式旋转检测；在各类磁通量传感器应用中，该器件同样表现出色。


满足环保标准，支持快速量产

AS1582T采用DFN0408-4L封装，以7英寸卷带形式出货，每卷10,000片。产品符合RoHS与Green环保标准。器件型号AS1582TDRY涵盖封装（D:DFN0408-4L）、包装（R:Tape&Reel）及温度等级（Y:-40℃~125℃）信息，便于客户选型与供应链管理。


市场前景广阔

随着物联网、智能终端、汽车电子及工业自动化的快速发展，对高灵敏度、高可靠性霍尔元件的需求持续增长。AS1582T的推出，进一步丰富了昂赛微电子在霍尔元件领域的产品矩阵，为精密电机控制与电流检测市场提供了更具竞争力的选择。

AS1582T不仅是一颗高性能霍尔元件，更是提升终端产品磁场检测精度与系统可靠性的关键组件，是消费电子、工业控制及汽车电子等领域的理想选择。未来，公司将持续深耕磁传感与模拟混合信号领域，为客户提供更具创新性与竞争力的系统解决方案。

样品申请与技术支持
客户可通过以下方式获取AS1582T完整技术文档、样品申请或进行商务合作咨询：

官方网站：www.angsemi.com      咨询邮箱：sales@angsemi.com      联系电话：+86-21-6882 8862